イベント|結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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イベント

STR グループは、以下の学会や展示会に参加し、最新情報を提供いたします。

2017年参加学会、展示会
2016年参加学会、展示会
2015年参加学会、展示会
2014年参加学会、展示会
2013年参加学会、展示会

日本国内
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)
日時:2018年4月8日(日)〜11日(水)
場所:東北大学 金属材料研究所
形態:企業広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.numse.nagoya-u.ac.jp/photonics/CSSC10/main.html
The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
日時:2018年6月8日(日)〜8日(金)
場所:奈良春日野国際フォーラム
形態:口頭発表、企業展示および広告
題名:MOVPE process modeling for improvement of production yield and device performance
4D-2.5 (Invited)
発表者:Roman Talalaev (STR Group-Soft-Impact Ltd.,)
題名:GaN MOVPE using TMGa and TEGa precursors: gas-phase reaction mechanisms
P1-4
発表者:Anna Lobanova (STR Group-Soft-Impact Ltd.,)

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.icmovpe.jp
【CFD セミナーシリーズ】 CVD プロセスのためのANSYS 流体解析セミナー
日時:2018年9月14日(金)13時〜17時
場所:ベルサール新宿グランド 5F コンファレンスセンター ルームC
形態:口頭発表
題名:化学反応モデルアドオンモジュールCVDSim を活用したCVD プロセスの解析事例のご紹介
発表者:飯塚 将也(STR Japan)

イベントの詳細は以下リンク先をご参照ください。
https://www.ansys.com/ja-jp/other/ja-jp/seminar/2018/cvd
第79回応用物理学会秋季学術講演会
日時:2018年9月18日(火)〜21日(金)
場所:名古屋国際会議場
形態:企業展示

イベントの詳細は以下リンク先をご参照ください。
https://meeting.jsap.or.jp/
第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)
日時:2018年10月31日(水)〜11月2日(金)
場所:仙台市戦災復興記念館
形態:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jp/event/2018/jccg-47/
先進パワー半導体分科会 第5回講演会
日時:2018年11月6日(火)〜7日(水)
場所:京都テルサ
形態:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://annex.jsap.or.jp/adps/scrm05/
International Workshop on Nitride Semiconductors
(IWN 2018)

日時:2018年11月11日(日)〜16日(金)
場所:石川県立音楽堂/ANAクラウンプラザホテル
形態:企業展示、広告、口頭発表

題名:Indium incorporation in quaternary InxAlyGa1-x-yN for UVB-LEDs
発表者:Tim Wernicke,1 Johannes Enslin,1 Gunnar Kusch,2 Anna Lobanova,3 Tolga Teke,1 Roman Talalaev,3 Robert Martin,2
and Michael Kneissl1
1Technische Universität Berlin, Institute of Solid State Physics, Germany, 2Department of Physics, SUPA, University of
Strathclyde, United Kingdom, 3STR Group Inc., Russia

題名:Effect of die shape and size on performance of µ-LEDs
発表者:Kirill Bulashevich, Sergey Konoplev, and Sergey Karpov
STR Group - Soft-Impact, Ltd., 194044 St.Petersburg, Russia

題名:Analysis of strain and dislocation evolution during MOCVD growth of AlGaN/GaN
power HEMT structure
発表者:Roman Talalaev,1 Mikhail Rudinsky,1 Eugene Yakovlev,1 Tomas Novak,2 Petr Kostelnik,2 and Jan Sik2
1STR Group - Soft-Impact Ltd., Russia, 2ON Semiconductor Czech Republic, Czech Republic

題名:Impact of growth conditions on critical thickness of polar InGaN/GaN heterostructures
発表者:Mikhail Rudinsky, Sergey Karpov, and Roman Talalaev
STR Group - Soft-Impact, Ltd., 194044 St.Petersburg, Russia

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.iwn2018.jp/
第8回シリコン材料の科学と技術フォーラム 2018
日時:2018年11月18日(日)〜21日(水)
場所:岡山大学創立五十周年記念館
形態:企業展示および広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.ec.okayama-u.ac.jp/~dm/siforum/index.html
【自社主催】結晶成長解析セミナー 2018 
〜結晶成長シミュレーションを用いた最新研究事例と製品開発プランの紹介〜


【申込方法】
以下情報を明記のうえ、弊社営業部(str-sales@str-soft.co.jp)までお申込みください。
ご所属団体、お名前、ご連絡先(電話番号およびメールアドレス)、懇親会への出席可否

【日時】
2018年12月7日(金曜日) セミナー:13:00〜17:45 懇親会:18:00〜20:00

【会場】
セミナー:横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 大会議室
(相鉄線天王町駅南口より徒歩5分もしくは JR 保土ヶ谷駅から無料シャトルバス)
懇親会:同建物1階 Espresso Americano 横浜ビジネスパーク店

【参加費】
無料(セミナーおよび懇親会)

【演目】
「点欠陥精密制御に役立つCGSimによる大口径CZ-Si結晶育成シミュレーション」      
末岡 浩治先生(岡山県立大学)

「VRを用いたSiCトレンチ埋込トポグラフィー・シミュレーション向け境界条件の決定」 
望月 和浩様(産業技術総合研究所)

「Optimization of Deposition Uniformity during Silicon Epitaxy in Deep Trenches」
Roman Talalaev(STR Group)

「Improvement of GaN crystal growth from Na-Ga melt by ACRT」
Vladimir Kalaev(STR Group)

「Modeling of carbon incorporation during GaN MOVPE」
Roman Talalaev(STR Group)

「機械学習による結晶成長モデリングと最適条件自動取得(SiC溶液成長を例に)」
宇治原 徹先生(名古屋大学)

「製品開発プラン:融液・溶液・気相からの結晶成長(CGSim, Virtual Reactor, CVDSim など)」
飯塚 将也(STR Japan)

「製品開発プラン:デバイス(SiLENSe, SpeCLED, RATRO など)」
向山 祐次(STR Japan)

詳細については、以下リンク先をご参照ください。
ご案内(結晶成長解析セミナー2018)STRJapan
「第6回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会」
日時:2018年12月17日(月) 11時〜18日(火)16時
場所:電力中央研究所 横須賀地区 新本館1階 大会議室
形態:口頭発表、ポスター展示
発表演目:結晶成長シミュレーションの最前線と課題
発表者:向山裕次(STR Japan)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://www.riam.kyushu-u.ac.jp/nano/gakushin145/seminar/6th_shuisyo.pdf
海外
International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)
日時:2018年10月21日(日)〜24日(水)
場所:Sheraton Kona Resort & Spa (Keauhou Bay, Big Island, HI)
形態:口頭発表
題名:Effect of numerical parameters on prediction of the melt flow prediction and impurity transport within a simplified and real Cz Si crystal growth process geometry with effect of transverse magnetic fields
発表者:Svetlana Demina (STR Group-Soft-Impact Ltd.,)
題名:Numerical Modeling of Effect of Thermal Stress and Heavy Doping for Behavior of Intrinsic Point Defects in Large-diameter Si Crystal Growing by Czochralski Method
発表者:Yuji Mukaiyama (STR Japan K.K.)
題名:Modeling of Bowing, Stress and Threading Disclocation Density Evolution in III-nitride Heterostructures Grown on Si Substrate (Invited)
発表者:Roman Talalaev (STR Group-Soft-Impact Ltd.,)
題名:Modeling the Effect of TaC-coated Crucible on PVT SiC Single Crystal Growth
発表者:Alex Galyukov (STR US, Inc.)
題名:Numerical Modeling of β-Ga2O3 Crystal Growth by Czochralski Method to Investigate the Spiral Formation of Crystal
発表者:Masaya Iizuka (STR Japan K.K.)

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://iwmcg-9.cems.umn.edu/

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