イベント|結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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イベント

STR グループは、以下の学会や展示会に参加し、最新情報を提供いたします。

2016年参加学会、展示会
2015年参加学会、展示会
2014年参加学会、展示会
2013年参加学会、展示会

日本国内

●未定


海外
●The 17th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy (EW-MOVPE 17)
日時:2017年 6月18日(日) 〜 21日(水)
場所:MINATEC (Grenoble, France)
内容:ポスター発表
■題名 : Selective area growth of GaN in sub-micron windows
発表者:Anna Lobanova (STR)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://inac.cea.fr/en/Phocea/Page/index.php?id=193
●The 7th International Workshop on Crystal Growth Technology
日時:2017年 7月2日(日) 〜 6日(金)
場所:Seminaris SeeHotel Potsdam (Potsdam, Germany)
内容:ポスター発表
■題名 : Analysis of dislocation density in CZT Bridgman crystal growth using computer modeling
発表者:Vladimir Artemyev (STR)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://iwcgt-7.ikz-berlin.de/
●The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
日時:2017年 7月24日(月) 〜 28日(金)
場所:Strasbourg Convention Center (Strasbourg, France)
内容:口頭発表、企業展示
■題名 : From large-size to micro-LEDs: scaling trends revealed by modeling
発表者:S. S. Konoplev (STR)
■題名 : Effect of carrier localization on recombination processes and efficiency of polar light-emitting diodes operating in the “green gap”
発表者:S. Yu. Karpov (STR)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://icns-12.coulomb.univ-montp2.fr/
●21st American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-21)
and 18th US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-18)
and 3rd Symposium on 2D Electronic Materials
and Symposium on Epitaxy of Complex Oxides
日時:2017年 7月30日(日) 〜 8月4日(金)
場所:Eldorado Hotel and Spa (Santa Fe, USA)
内容:口頭発表、企業展示
■題名 : Epitaxial growth of ga2o3 by mocvd using oxygen: Experimental study and model verification
発表者:Alex Galyukov (STR US)
■題名 : Modeling and experimental analysis of zinc distribution and dislocation density evolution in CZT Bridgman crystal growth
発表者:Alex Galyukov (STR US)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.crystalgrowth.org/Santa-Fe.html
●The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
日時:2017年 9月17日(日) 〜 22日(金)
場所:Wardman Park Marriott (Washington, D.C., USA)
内容:口頭発表、企業展示
■題名 : Model of growth of N- and Al-doped SiC structures in the SiH4+C3H8+HCl system
発表者:Maxim V. Bogdanov (STR *予定)
■題名 : Transport Phenomena in PVT Growth of SiC Bulk Crystals
発表者:M.S. Ramm (STR)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://www.mrs.org/icscrm-2017

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