event2016|結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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イベント

STR グループは、2016年以下の学会や展示会に参加いたしました

日本国内
●応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第179回 研究集会
日時 : 2016年 2月26日(金)13:00 - 18:00
場所:学習院大学 中央棟301教室
内容:口頭発表
題名:シーメンスプロセスでの多結晶シリコン結晶成長解析
発表者:向山 裕次(STR Japan 株式会社)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://annex.jsap.or.jp/silicon/shousai/dai190.htm
●第8回 窒化物半導体結晶成長講演会
日時:2016年 5月 9日(月)13:00 〜 10日(火)16:45
場所:京都大学桂キャンパス ローム記念館
内容:企業展示、ポスター発表
題名:数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討
発表者:向山 裕次 (STR Japan 株式会社)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/nanoepi/nanoepi_8/index.html
●CSW2016 (The 2016 Compound Semiconductor Week)
日時:2016年 6月26日(日) 〜 30日(木)
場所 : 富山国際会議場
内容 : 企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://csw-jpn.org/
ICCGE-18 (the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy)
日時:2016年 8月 7日(日) 〜 12日(金)
場所:名古屋国際会議場
内容:企業展示、口頭発表、ポスター発表
題名:Numerical study of microdefect formation during Cz growth of monocrystalline silicon
発表者:Vasif M. Mamedov(STR)
題名:Modeling of Dislocation Dynamics in germanium Czochralski growth
発表者:Vladimir V. Artemyev(STR)
題名:Strain engineering for electronic devices: modeling capabilities
発表者:Sergey Yu Karpov(STR)
題名:Advanced Modeling of MOVPE Processes
発表者:Eugene Yakovlev(STR)
題名:Melt Flow before Crystal Seeding in Cz Si Growth with Transversal MF
発表者:飯塚 将也 (STR Japan 株式会社)
題名:Using of simplified geometry of Cz Si crystal growth process with transverse magnetic field for analysis of numerical parameters
発表者:Vladimir Kalaev(STR)
題名:Modeling Solutions for Growth of Silicon Carbide
発表者:向山 裕次 (STR Japan 株式会社)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.iccge18.jp/index.html
●第77回応用物理学会秋季学術講演会
日時:2016年 9月 13日(火) 〜 16日(金)
場所:朱鷺メッセ
内容:ポスター発表
題名:数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討
発表者:向山 裕次 (STR Japan 株式会社)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://meeting.jsap.or.jp/
●エピタキシャル成長中の "歪み・基板の反り" セミナー
日時:2016年 10月 18日(火) 【名古屋】 13:30 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:名古屋国際センター3階 第2研修室(名古屋市中村区)
!名古屋会場変更のお知らせ! 名古屋会場が変更になりました。
※名古屋会場は定員に達しましたので、お申し込みを締め切ります。
日時:2016年 10月 19日(水) 【横浜】 13:30 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 大会議室(横浜市保土ヶ谷区)
詳細は、以下リンク先をご参照ください。
合同セミナーのお知らせ
●先進パワー半導体分科会 第3回講演会
日時:2016年11月 8日(火) 〜 9日(水)
場所 : つくば国際会議場
内容 : 企業展示、インダストリアルセッション
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://annex.jsap.or.jp/adps/scrm/index.html
海外
●International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
日時:2016年 10月 2日(日) 〜 7日(金)
場所: Hilton Orlando Lake Buena Vista ( Orlando, Florida)
内容:口頭発表
題名 : Radiative and Non-Radiative Processes in InGaN-Based LEDs
発表者 : Sergey Karpov
題名 : Control of Stress, Bow, and Dislocation Density in (0001) AlN/GaN Superlattices Grown on Silicon
発表者 : Mikhail Rudinsky
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.mrs.org/iwn-2016
●The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
日時:2016年 11月 21日(月) 〜 25日(金)
場所:Sheraton Kona Resort & Spa at Keauhou Bay (Hawaii)
内容:企業広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://hawaii2016.kir.jp/index.html

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