結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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結晶成長やデバイスのシミュレーションの提供

様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、シミュレーションソフトウェア・受託解析・技術コンサルティングを提供いたします。

STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、30年余りの結晶成長の研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。

バルク結晶成長 シリコン、窒化物(GaN, AlN)、SiC、III-V 族(GaAs, InP, GaP)、酸化物(Sapphire, CaF2, GGG, YAG)等

エピタキシャル成長 シリコン、窒化物(GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN)、SiC、III-V 族(GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP)等

デバイス 光学デバイス(LED, レーザー、太陽電池)、電子デバイス(HEMT)等

新着情報

2017/9/13

●日本学術振興会第162委員会 第105回研究会
日時:2017年 10月 6日(金)
場所:主婦会館 プラザエフ(東京都千代田区)
内容:口頭発表
■題名 :化学反応を含む熱流体解析による窒化物結晶成長プロセスの予測と実験結果との比較検証
発表者:向山 裕次 (STR Japan)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://jsps162.jpn.org/meeting.html


2017/9/12

●半導体結晶の高品質化に関する、その場観察・XRD・シミュレーション技術セミナー
【東京会場】
日時:2017年 10月 20日(金) 10:00 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:丸文株式会社 本社5階 大会議室(東京都中央区)
【名古屋会場】
日時:2017年 10月 25日(水) 10:00 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:ウィンクあいち 11階(名古屋市中村区)
詳細は、以下リンク先をご参照ください。
合同セミナーのお知らせ


2017/9/12

●第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
日時:2017年 11月 27日(月) 〜 29日(水)
場所:ホテルコンコルド浜松
内容:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/frame_main/18/jccg-46/index.html


2017/9/12

●先進パワー半導体分科会 第4回講演会
日時:2017年 11月 1日(水) 〜 2日(木)
場所:名古屋国際会議場
内容:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://annex.jsap.or.jp/adps/scrm04/index.html


2017/9/12

●第42回複合材料シンポジウム
日時:2017年 9月 14日(木) 〜 15日(金)
場所:東北大学青葉山キャンパス(青葉記念会館および中央棟議室)
内容:口頭発表
■題名 : CVI法によるSiCセラミックス基複合材料作製プロセスの数値解析
発表者:飯塚 将也 (STR Japan)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jscm.gr.jp/schedule/2017/42CMsympo_program20170828.pdf


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