新着情報 | 結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STRJapan 株式会社

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新着情報


2015/7/2

SiLENSe ver5.8がリリースされました。


2015/6/11

発表事例を追加しました。
●融液からの結晶成長解析
題名 Advanced chemical model for analysis of Cz and DS Si-crystal growth
発表者 A.N. Vorob’ev, et al
発表先 Journal of Crystal Growth 386 (2014) 226–234
結晶名 Silicon

題名 Optimization of heating conditions during Cz BGO crystal growth
発表者 A.V. Kolesnikov, et al
発表先 Journal of Crystal Growth 407 (2014) 42-47
結晶名 BGO

題名 Crystal twisting in Cz Si growth
発表者 V. Kalaev, et al
発表先 Journal of Crystal Growth 413 (2015) 12-16
結晶名 Silicon

題名 3D melt convection in sapphire crystal growth: Evaluation of physical properties
発表者 V.V. Timofeev, et al
発表先 International Journal of Heat and Mass Transfer 87 (2015) 42-48
結晶名 Sapphire

●MOCVD 法による窒化物結晶成長
題名 Mechanism of stress relaxation in (0001) InGaN/GaN via formation ofV-shaped dislocation half-loops.
発表者 A.V. Lobanova, et al
発表先 Appl. Phys. Lett., 103 (2013) 152106.

題名 On Mechanisms Governing AlN and AlGaN Growth Rate and Composition in Large Substrate Size Planetary MOVPE Reactors.
発表者 M. Dauelsberg, et al
発表先 Journal of Crystal Growth, 393 (2014) 103-107.

題名 Transport Phenomena in Vapor Phase Epitaxy Reactors.
発表者 R. Talalaev, et al, In: Nishinaga T, Kuech TF, editors.
発表先 Handbook of Crystal Growth, Vol. III. Elsevier; 2015. pp.909–42.

●CVD 法による Si, SiGe 結晶成長
題名 Antimony surfactant for epitaxial growth of SiGe buffer layers at high deposition temperatures,
発表者 P. Storck, et al
発表先 Thin Solid Films 518 (2010) S23–S29

●光学デバイス ( LED, Laser )
題名 Theoretical and Experimental Study of Thermal Management in High-Power AlInGaN LEDs
発表者 A. E. Chernyakov, et al
発表先 Proc. 15th Int. Conf. on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems(2014) 1-5 / DOI: 10.1109/EuroSimE.2014.6813819
 
題名 Temperature-Dependent Internal Quantum Efficiency of Blue High-Brightness Light-Emitting Diodes
発表者 I. E. Titkov, et al
発表先 IEEE J. Quantum Electron. 50 (2014) 911-920.
 
題名 ABC-model for interpretation of internal quantum efficiency and its droop in III-nitride LEDs a review
発表者 S. Yu. Karpov, et al
発表先 Opt. Quantum Electron. (2014) / DOI: 10.1007/s11082-014-0042-9
 
題名 Strategies for creating efficient, beautiful whites
発表者 S. Yu. Karpov, et al
発表先 Compound Semiconductors, 21 (2015) 44-47.
 
題名 Optimal ways of colour mixing for high-quality white-light LED sources
発表者 K. A. Bulashevich, et al
発表先 Phys. Stat. Solidi (a), 212 (2015) 914-919.

●太陽電池
題名 Assessment of factors limiting conver­sion efficiency of single-junction III-nitride solar cells
発表者 K. A. Bulashevich, et al
発表先 Phys. Stat. Solidi (c) 11, (2014) 640-643.


2015/6/11

イベント情報2015(海外)を追加しました。

●EW MOVPE 2015
16th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy
日時:2015年 6月 7日(日)〜10日(水)
場所: AF building in Lund, Sweden
内容: イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.nano.lu.se/ewmovpe2015

●ACCGE-20
20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy
日時:2015年 8月 2日(日)〜7日(金)
場所: Big Sky, Montana, USA
内容: イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.crystalgrowth.org/ACCGE-20---OMVPE-17-Conference.html

●CCCG-17
日時:2015年 8月
場所: 中国
内容: イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://cccg17.hit.edu.cn/

●Symposium on High Power semiconductor devices and materials
日時:2015年
場所: 台湾
内容:

●1st Int. Forum on Sapphire Market & Technologies
日時:2015年 8月 31日(月)〜 9月 1日(火) 場所: Shenzhen, alongside the 17th China International Optoelectronic Expo 2015, China 内容: イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.i-micronews.com/yole-events/eventdetail/40/-/1st-int-forum-on-sapphire-market-technology.html

●ICSCRM2015
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
日時:2015年 10月 4日(日)〜 10月 9日(金) 場所: Congress Center Atahotel Naxos Beach, in Giardini Naxos, Italy
内容: イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://icscrm2015.imm.cnr.it/


2015/5/12

採用情報を掲載しました。
ご応募、お待ちしております。

発表事例を追加しました。

●融液および溶液からの結晶成長
題名 Na-Flux 法における窒化ガリウム単結晶成長のための数値解析
発表者 飯塚 将也(STR Japan 株式会社)
発表先 第7回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
結晶名 GaN

●CVD 法による SiC 結晶成長
題名 Study of Al Incorporation in Chemical Vapor Deposition
of p-Doped SiC
発表者 A.S. Segal, et al
発表先 Materials Science Forum Vols 821-823 (2015) pp 145-148

●光学デバイス ( LED, Laser )
題名 Spectral dependence of light extraction efficiency of high-power III-nitride light-emitting diodes
発表者 S. Yu. Karpov, et al
発表先 Phys. Status Solidi RRL (2015) / DOI 10.1002/pssr.201510073

イベント情報を追加しました。

●「次世代パワー半導体デバイスの進展」
日時 2015年7月9 日(木) 13:00〜17:35
場所 産総研つくば西事業所 TIA 連携棟 TIA-nano ホール
内容 企業広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai03.pdf


2015/2/14

イベントページを更新しました。

当社主催セミナーを開催いたします。

●結晶成長とデバイス解析セミナー2015(STR Japan株式会社主催)
日時:2015年 6月 26日(金)12:00 〜セミナー後に懇親会(予定)
場所:横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 中会議室(横浜市保土ヶ谷区)
昨年のセミナーの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
セミナーのお知らせ


2015/2/14

イベントページを更新しました。

今後以下の学会に参加・展示いたします。

●応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第179回 研究集会
日時:2015年2月27日(金)13:30-18:00
場所:学習院大学 南1号館101教室
内容:口頭発表
題名:チョクラルスキー法によるシリコン単結晶成長への数値シミュレーションの適用-三次元横磁場解析や引き上げのダイナミクス解析による点欠陥制御-
発表者:飯塚 将也(STR Japan 株式会社)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://annex.jsap.or.jp/silicon/shousai/dai179.htm

●第7回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
日時:2015年 5月 7日(木)13:00 〜 8日(金)16:20(予定)
場所:片平さくらホール(東北大学片平キャンパス)
内容:企業展示、ポスター発表
題名:Na-Flux法における窒化ガリウム単結晶成長のための数値解析
発表者:飯塚将也
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/nanoepi/nanoepi_7/index.html

●ISGN-6
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides

日時:2015年 11月 8日(日)〜13日(金)
場所:浜松アクトシティ
内容:企業展示 イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://isgn6.jp/


2015/2/13

CGSim v15.1がリリースされました。


2015/2/4

SpeCLED2008 ver4.14がリリースされました。


2014/12/22

12/29(月)〜 1/2(金)は、弊社冬季休暇となりますので、予めご了承下さい。


2014/11/26

Virtual Reactor ver7.3がリリースされました。


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