結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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結晶成長やデバイスのシミュレーションの提供

半導体の製造技術である結晶成長やデバイスプロセス、その研究開発用途で使用されるシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションソフトウェア・ソフトウェアを使用した受託解析・結晶成長やデバイスプロセスの技術コンサルティングを提供いたします。

STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、30年を超える研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。

バルク結晶成長:融液・溶液・気相法でのシリコン、窒化物(GaN, AlN)、炭化ケイ素、III-V 族(GaAs, InP, GaP)、酸化物(Sapphire, CaF2, GGG, YAG) など

エピタキシャル成長:気相法でのシリコン、窒化物(GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN)、炭化ケイ素、III-V 族(GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP)、酸化物(Ga2O3)など

デバイス:光学デバイス(LED, レーザー、太陽電池)、電子デバイス(HEMT)など
新着情報

2021/08/06

夏季休業のお知らせ

平素は格別のお引き立てを賜りまして、厚く御礼申し上げます。
弊社の夏季休業について、以下のようにお知らせします。

夏季休業期間:2021年8月10日(火)〜13日(金)
通常営業再開日:2021年8月16日(月)

頂戴したお問い合わせについては、通常営業再開日以降に順次返答いたします。
ご不便をおかけして大変恐縮ですが、何卒ご了承くださいますよう、よろしくお願いいたします。


2021/07/07

対外発表のお知らせ(応物秋2021)

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会(応物秋2021)

日時:2021年9月10日(金)〜13日(月)
場所:名城大学、天白キャンパス&オンライン
形態:口頭発表

発表タイトル:数値解析によるCz法シリコン単結晶成長時の組成的過冷却に関する研究
発表者:向山 裕次(岡山県立大院情報系工、STR Japan 株式会社)

イベントの詳細については以下リンク先をご参照ください。
https://meeting.jsap.or.jp/


2021/06/15

Virtual Reactor ver8.1リリースのお知らせ

Virtual Reactor ver 8.1がリリースされました。

リリースノート(CVD_SiC, HVPE, PVT-SiC, PVT-AlN)


2021年4月27日

ゴールデンウイーク休業のお知らせ

平素は格別のお引き立てを賜りまして、厚く御礼申し上げます。
弊社のゴールデンウイーク休業について、以下のようにお知らせします。

ゴールデンウイーク休業期間:2021年4月29日(木)〜5月5日(水)
通常営業再開日:2021年5月6日(木)

頂戴したお問い合わせについては、通常営業再開日以降に順次返答いたします。
ご不便をおかけして大変恐縮ですが、何卒ご了承くださいますよう、よろしくお願いいたします。


2021年4月13日

SiLENSe ver6.3.1リリース

SiLENSe ver6.3.1がリリースされました。


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