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新着情報
CMD2025で学会発表します。「MPCVD法によるダイヤモンドエピタキシャル成長の数値解析」
学会発表のお知らせ (CMD2025)
企業展示のお知らせ (応物秋2025)
夏季休業のお知らせ
現在お知らせはございません。
企業展示のお知らせ (JCCG-54)
学会発表のお知らせ (CMD2025)
企業展示のお知らせ (応物秋2025)
企業展示のお知らせ (ICSCRM 2025)
企業展示のお知らせ (ICCGE-21)
CMD2025で学会発表します。「MPCVD法によるダイヤモンドエピタキシャル成長の数値解析」
Hasselt Diamond Workshop 2025で学会発表します。「Improved Uniformity of Diamond Growth Through the Modeling of MPCVD on the Large Area Substrates」
NDNC 2025で学会発表します。「Experimental and Numerical Analysis of Growth of Heteroepitaxial Diamond Using the MPCVD Method」
応用物理学会結晶工学分科会第29回結晶工学セミナーで学会発表します。「結晶成長プロセスにおける熱・物質輸送の数値解析」
PRODUCTS
製品情報
結晶成長解析ソフトウェア
デバイス解析ソフトウェア
半導体製造技術である結晶成長や半導体デバイスの研究開発において使用されるシミュレーションを提供するSTR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、バルク結晶および薄膜成長やデバイスのシミュレーションソフトウェア、受託解析、コンサルティングを提供します。
バルク結晶成長
- 成長法
- Cz, MCz, LEC, VCz, Kyropoulos (Ky), VB, VGF, DS, THM, Fz, Hydrothermal, Amonothermal, Flux, PVT, HTCVD, HVPE, THVPE, HF-VPE, OVPE, MPCVD など
- 結晶
- Si, GaAs, InP, GaP, Sapphire (Al2O3), CaF2, Ge, SiGe, Ga2O3, YAG, GGG, LT, LN, CdTe, GaN, SiC, AlN, Diamond など
薄膜成長
- 成長法
- CVD, MOCVD (MOVPE), MOHVPE, HVPE, THVPE など
- 結晶
- Si, SiGe, SiC, III-V (GaN, AlN, AlGaN, InN, InGaN, AlInN, GaAlInN, InAs, GaAs, AlAs, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, InGaAlAs, InP, GaP, AlP, InGaP, InAlP, AlGaP, InGaAlP, InAsP, GaAsP, AlAsP, InGaAsP, InAlAsP, AlGaAsP) Ga2O3 など
デバイス
- デバイス
- 光学デバイス (LED, レーザー, 太陽電池)
電子デバイス (HEMT) など
ADVANTAGES
