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製品情報

半導体製造技術である結晶成長や半導体デバイスの研究開発において使用されるシミュレーションを提供するSTR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、バルク結晶および薄膜成長やデバイスのシミュレーションソフトウェア、受託解析、コンサルティングを提供します。

バルク結晶成長

成長法
Cz, MCz, LEC, VCz, Kyropoulos (Ky), VB, VGF, DS, THM, Fz, Hydrothermal, Amonothermal, Flux, PVT, HTCVD, HVPE, THVPE, HF-VPE, OVPE, MPCVD など
結晶
Si, GaAs, InP, GaP, Sapphire (Al2O3), CaF2, Ge, SiGe, Ga2O3, YAG, GGG, LT, LN, CdTe, GaN, SiC, AlN, Diamond など

薄膜成長

成長法
CVD, MOCVD (MOVPE), MOHVPE, HVPE, THVPE など
結晶
Si, SiGe, SiC, III-V (GaN, AlN, AlGaN, InN, InGaN, AlInN, GaAlInN, InAs, GaAs, AlAs, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, InGaAlAs, InP, GaP, AlP, InGaP, InAlP, AlGaP, InGaAlP, InAsP, GaAsP, AlAsP, InGaAsP, InAlAsP, AlGaAsP) Ga2O3 など

デバイス

デバイス
光学デバイス (LED, レーザー, 太陽電池)
電子デバイス (HEMT) など

ADVANTAGES

当社の強み

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