結晶成長やデバイスのシミュレーションの提供
半導体の製造技術である結晶成長やデバイスプロセス、その研究開発において使用されるシミュレーション（解析）を提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションソフトウェア、同ソフトウェアを使用した受託解析、コンサルティングプロジェクトを提供いたします。
STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、40年弱の研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。
バルク結晶成長：
融液、溶液、気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP, それらの混晶）、酸化物（Sapphire, β-Ga2O3, CaF2, GGG, YAG）など
薄膜成長：
気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN, InN, それらの混晶）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP, それらの混晶）、酸化物（Ga2O3）など
デバイス：
光学デバイス（LED, レーザー、太陽電池）、電子デバイス（HEMT）など
また、提供するソフトウェアおよび技術サポートは以下のような特長を有しております。
ソフトウェアの特長：
解析対象で起きている物理現象の把握だけでなく高度化（結晶成長解析：結晶品質の向上、デバイス解析：デバイス特性の向上）に資するシミュレーション（結晶成長解析：電磁場、化学反応、熱応力を考慮した熱流体解析、デバイス解析：対象デバイスの特性（バンド特性+α）が得られるデバイスシミュレーション）が可能です。
また、シミュレーション専任ではない結晶成長技術者および学生（日本のユーザーの約9割弱）が使い易い結晶成長やデバイス解析ソフトウェアとして設計（解析に必要な化学反応モデル、物理モデル、物性値がデータベースして内蔵等）されております。
技術サポートの特長：
ただソフトウェアを提供し、その使用方法を技術サポートするのではなく、お客様の解析対象である結晶成長やデバイス、解析事項、課題等に応じた適切な技術サポート日本語で提供いたします。
お客様での解析を円滑に進めることが課題の場合は、その課題を解決するために解析モデルを弊社が受託解析で作成および納品することにより、納品されたモデルを基にしてお客様での解析を円滑に進めることが可能になります。
STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、40年弱の研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。
バルク結晶成長：
融液、溶液、気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP, それらの混晶）、酸化物（Sapphire, β-Ga2O3, CaF2, GGG, YAG）など
薄膜成長：
気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN, InN, それらの混晶）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP, それらの混晶）、酸化物（Ga2O3）など
デバイス：
光学デバイス（LED, レーザー、太陽電池）、電子デバイス（HEMT）など
また、提供するソフトウェアおよび技術サポートは以下のような特長を有しております。
ソフトウェアの特長：
解析対象で起きている物理現象の把握だけでなく高度化（結晶成長解析：結晶品質の向上、デバイス解析：デバイス特性の向上）に資するシミュレーション（結晶成長解析：電磁場、化学反応、熱応力を考慮した熱流体解析、デバイス解析：対象デバイスの特性（バンド特性+α）が得られるデバイスシミュレーション）が可能です。
また、シミュレーション専任ではない結晶成長技術者および学生（日本のユーザーの約9割弱）が使い易い結晶成長やデバイス解析ソフトウェアとして設計（解析に必要な化学反応モデル、物理モデル、物性値がデータベースして内蔵等）されております。
技術サポートの特長：
ただソフトウェアを提供し、その使用方法を技術サポートするのではなく、お客様の解析対象である結晶成長やデバイス、解析事項、課題等に応じた適切な技術サポート日本語で提供いたします。
お客様での解析を円滑に進めることが課題の場合は、その課題を解決するために解析モデルを弊社が受託解析で作成および納品することにより、納品されたモデルを基にしてお客様での解析を円滑に進めることが可能になります。
