結晶成長やデバイスのシミュレーションの提供
半導体の製造技術である結晶成長やデバイスプロセス、その研究開発用途で使用されるシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションソフトウェア・ソフトウェアを使用した受託解析・結晶成長やデバイスプロセスの技術コンサルティングを提供いたします。
STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、30年を超える研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。
バルク結晶成長：融液・溶液・気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP）、酸化物（Sapphire, CaF2, GGG, YAG) など
エピタキシャル成長：気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP）、酸化物（Ga2O3）など
デバイス：光学デバイス（LED, レーザー、太陽電池）、電子デバイス（HEMT）など
STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、30年を超える研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。
バルク結晶成長：融液・溶液・気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP）、酸化物（Sapphire, CaF2, GGG, YAG) など
エピタキシャル成長：気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP）、酸化物（Ga2O3）など
デバイス：光学デバイス（LED, レーザー、太陽電池）、電子デバイス（HEMT）など
