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新着情報
企業展示のお知らせ (第39回ダイヤモンドシンポジウム)
ICSI/ISTDM 2025で学会発表します。「Analysis of key factors affecting selectivity and conformality of lateral Si/SiGe stack etching」
ICSI/ISTDM 2025で学会発表します。「Growth Kinetics and Thickness Uniformity During 200 mm Ge Epitaxy in Horizontal Flow Reactor」
企業展示のお知らせ (ICSI/ISTDM 2025)
当社事務所電話およびファックス、一時停止のお知らせ
夏季休業のお知らせ
ゴールデンウィーク休業のお知らせ
年末年始休業のお知らせ
当社事務所電話およびファックス、一時停止のお知らせ
企業展示のお知らせ (第39回ダイヤモンドシンポジウム)
企業展示のお知らせ (ICSI/ISTDM 2025)
企業展示のお知らせ (先進パワー半導体分科会第12回講演会)
企業展示のお知らせ (JCCG-54)
学会発表のお知らせ (CMD2025)
ICSI/ISTDM 2025で学会発表します。「Analysis of key factors affecting selectivity and conformality of lateral Si/SiGe stack etching」
ICSI/ISTDM 2025で学会発表します。「Growth Kinetics and Thickness Uniformity During 200 mm Ge Epitaxy in Horizontal Flow Reactor」
CMD2025で学会発表します。「MPCVD法によるダイヤモンドエピタキシャル成長の数値解析」
ICCGE-21で学会発表します。「3D Modeling of 300 mm Cz Si Growth in an Asymmetric Furnace with Applied Horizontal Magnetic Field」
ICCGE-21で学会発表します。「Resistivity Uniformity Analysis in FZ Si Growth Using 3D Modeling」
PRODUCTS
製品情報
結晶成長解析ソフトウェア
デバイス解析ソフトウェア
半導体製造技術である結晶成長や半導体デバイスの研究開発において使用されるシミュレーションを提供するSTR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、バルク結晶および薄膜成長やデバイスのシミュレーションソフトウェア、受託解析、コンサルティングを提供します。
バルク結晶成長
- 成長法
- Cz, MCz, LEC, VCz, Kyropoulos (Ky), VB, VGF, DS, THM, Fz, Hydrothermal, Amonothermal, Flux, PVT, HTCVD, HVPE, THVPE, HF-VPE, OVPE, MPCVD など
- 結晶
- Si, GaAs, InP, GaP, Sapphire (Al2O3), CaF2, Ge, SiGe, Ga2O3, YAG, GGG, LT, LN, CdTe, GaN, SiC, AlN, Diamond など
薄膜成長
- 成長法
- CVD, MOCVD (MOVPE), MOHVPE, HVPE, THVPE など
- 結晶
- Si, SiGe, SiC, III-V (GaN, AlN, AlGaN, InN, InGaN, AlInN, GaAlInN, InAs, GaAs, AlAs, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, InGaAlAs, InP, GaP, AlP, InGaP, InAlP, AlGaP, InGaAlP, InAsP, GaAsP, AlAsP, InGaAsP, InAlAsP, AlGaAsP) Ga2O3 など
デバイス
- デバイス
- 光学デバイス (LED, レーザー, 太陽電池)
電子デバイス (HEMT) など
ADVANTAGES
