NEWS
新着情報
SISPAD2026で学会発表します。「Multiscale Modeling of SiGe-based Device Processing」
企業展示のお知らせ (シリコンシンポジウム2026)
シリコンシンポジウム2026で学会発表します。「Enhancement of Crystal growth Modeling with Machine learning (Tentative)」
CGSim ver.26.1をリリースしました。
ゴールデンウィーク休業のお知らせ
【重要】当社代表を装った不審メールについて
年末年始休業のお知らせ
当社事務所電話およびファックス、一時停止のお知らせ
夏季休業のお知らせ
CGSim ver.26.1をリリースしました。
Virtual-Reactor PVT-SiC edition v2025.2.2 をリリースしました。
SiLENSe ver2024.1をリリースしました。
CVDSim3D ver1.11.121をリリースしました。
CGSim ver.24.2.1をリリースしました。
企業展示のお知らせ (SISPAD2026)
企業展示のお知らせ (シリコンシンポジウム2026)
企業展示のお知らせ (JCCG-55)
企業展示のお知らせ (ナノエピ講演会2026)
学会発表のお知らせ (Hasselt Diamond Workshop 2026)
SISPAD2026で学会発表します。「Multiscale Modeling of SiGe-based Device Processing」
シリコンシンポジウム2026で学会発表します。「Enhancement of Crystal growth Modeling with Machine learning (Tentative)」
STR Belgrade の Ivan が学会発表しました。（題名： Control of PCD formation on SCD during high-pressure MPCVD）
ICSI/ISTDM 2025で学会発表します。「Analysis of key factors affecting selectivity and conformality of lateral Si/SiGe stack etching」
ICSI/ISTDM 2025で学会発表します。「Growth Kinetics and Thickness Uniformity During 200 mm Ge Epitaxy in Horizontal Flow Reactor」
PRODUCTS
製品情報
結晶成長解析ソフトウェア
デバイス解析ソフトウェア
半導体製造技術である結晶成長や半導体デバイスの研究開発において使用されるシミュレーションを提供するSTR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、バルク結晶および薄膜成長やデバイスのシミュレーションソフトウェア、受託解析、コンサルティングを提供します。
バルク結晶成長
- 成長法
- Cz, MCz, LEC, VCz, Kyropoulos (Ky), VB, VGF, DS, THM, Fz, Hydrothermal, Amonothermal, Flux, PVT, HTCVD, HVPE, THVPE, HF-VPE, OVPE, MPCVD など
- 結晶
- Si, GaAs, InP, GaP, Sapphire (Al2O3), CaF2, Ge, SiGe, Ga2O3, YAG, GGG, LT, LN, CdTe, GaN, SiC, AlN, Diamond など
薄膜成長
- 成長法
- CVD, MOCVD (MOVPE), MOHVPE, HVPE, THVPE など
- 結晶
- Si, SiGe, SiC, III-V (GaN, AlN, AlGaN, InN, InGaN, AlInN, GaAlInN, InAs, GaAs, AlAs, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, InGaAlAs, InP, GaP, AlP, InGaP, InAlP, AlGaP, InGaAlP, InAsP, GaAsP, AlAsP, InGaAsP, InAlAsP, AlGaAsP) Ga2O3 など
デバイス
- デバイス
- 光学デバイス (LED, レーザー, 太陽電池)
電子デバイス (HEMT) など
ADVANTAGES
