イベント
| STR Japan 株式会社は以下のようなイベントに参加し、最新情報を提供いたします。 弊社以外の STR グループ法人が参加するイベントについては、STR グループグローバルサイトをご参照ください。 |
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| 第52回結晶成長国内会議（JCCG-52） 日時：2023年12月4日（月）〜6日（水） 場所：ウインクあいち 形態：企業展示、インダストリアルプレゼンテーション 本イベントの詳細については本イベントウェブサイトをご参照ください。 |
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| 先進パワー半導体第10回講演会 日時：2023年11月30日（木）〜12月1日（金） 場所：ANAクラウンプラザホテル金沢 形態：企業展示、インダストリアルセッションでの発表 本イベントの詳細については本イベントウェブサイトをご参照ください。 |
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| The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 日時：2023年11月12日（日）〜17日（金） 場所：ヒルトン福岡シーホーク 形態：企業展示、ポスター発表 ポスター題目：Modeling and validation of carbon incorporation in GaN epitaxial growth by MOVPE method 発表者：向山 裕次（STR Japan 株式会社） 本イベントの詳細については本イベントウェブサイトをご参照ください。 |
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| 日本機械学会 第36回計算力学講演会（CMD2023） 日時：2023年10月27日（金） 場所：豊橋商工会議所 形態：口頭発表 題目：MOVPE法によるGaNエピタキシャル成長における炭素混入に関する数値解析とその評価 発表者：向山 裕次（STR Japan 株式会社） 本イベントの詳細については本イベントウェブサイトをご参照ください。 |
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| 第42回電子材料シンポジウム（EMS42） 日時：2023年10月11日（水）〜13日（金） 場所：ダイワロイヤルホテル THE KASHIHARA 形態：企業展示、インダストリアルセッション発表 題目：マイクロ波プラズマ CVD 法によるダイヤモンド結晶成長解析 発表者：塚田 佳紀（STR Japan 株式会社） 本イベントの詳細については本イベントウェブサイトをご参照ください。 |
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| 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2023) 日時：2023年9月27日（水）〜29日（金） 場所：神戸商工会議所 形態：企業展示 本イベントの詳細については本イベントウェブサイトをご参照ください。 |
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| 第84回応用物理学会秋季学術講演会（応物秋2023） 日時：2023年9月19日（火）〜23日（土） 場所：熊本城ホールほか3会場 形態：企業展示 本イベントの詳細については本イベントウェブサイトをご参照ください。 |
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| International Conference on Crystal Growth and Epitaxy-ICCGE-20（ICCGE20） 日時：2023年7月30日（日）〜8月4日（土） 場所：University Campus (Complesso universitario di) San Giovanni a Teduccio Corso Nicolangelo Protopisani, 70, 80146 Naples, Italy 形態：口頭発表 題目：Evaluation of Numerical Modeling on Constitutional Supercooling during Heavily Boron Doped Silicon Single Crystal Growth using Cz Method 発表者：向山 裕次（STR Japan 株式会社、岡山県立大院情報系工） 形態：ポスター発表 題目：Numerical Modeling on spiral formation of Cz-β-Ga2O3 crystal growth considering solidification kinetic effect 発表者：飯塚 将也（STR Japan 株式会社） 本イベントの詳細については本イベントウェブサイトをご参照ください。 |
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| 弊社が参加した過去のイベントについては、以下リンクをご参照ください。 2022年参加イベント 2021年参加イベント 2020年参加イベント 2019年参加イベント 2018年参加イベント 2017年参加イベント 2016年参加イベント 2015年参加イベント 2014年参加イベント |
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