当社の強み

グローバル企業である STR グループは、40年以上にわたり
様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションソフトウェアを独自に開発し、提供しています。

ADVANTAGE01

結晶成長・デバイスに
特化したシミュレーション

当社のシミュレーションソフトウェアは、結晶成長やデバイスに特化しており、特長的な解析が可能です。

  • 結晶成長法：融液法、溶液法、気相法、バルクまたは薄膜成長
  • 結晶：シリコン、SiC、窒化物、III 族砒化物、酸化物、ダイヤモンドなど
  • デバイス：LED、レーザー、太陽電池、HEMT
  • 特長的な解析：熱流体、化学反応、電磁場、プラズマ、熱応力など複数の物理現象を連成した結晶成長解析、結晶成長速度、不純物の結晶への取込、長時間成長時の結晶形状変化および結晶内熱応力、転位、点欠陥

ADVANTAGE02

結晶成長やデバイス技術者、
学生が使い易いソフトウェア

当社のシミュレーションソフトウェアは、シミュレーション専任ではない結晶成長やデバイス技術者、学生が結晶成長やデバイス解析し易いように設計されています。

  • 熱流体、化学反応、電磁場、熱応力、プラズマなど複数の物理現象を1つのソフトウェアで解析可能
  • 様々な結晶、部材、材料、原料、不純物などに対応する物性値や化学反応モデルをデータベースとして内蔵
  • 様々な結晶成長法、結晶、リアクタータイプ、デバイス、解析事項に対応した例題を内蔵
  • 3次元モデル、4元混晶の化学反応、プラズマなど複雑な解析対象にも対応可能な強力なソルバーや計算格子の自動生成機能
  • 参照点の温度や成長速度に対応する抵抗加熱や誘導加熱パワーのフィッティング機能
  • ハイスペックワークステーションを必要とせず、現実的な計算資源や時間で妥当な解析結果を多数得られるアルゴリズム

ADVANTAGE03

充実の技術サポート

当社のスタッフが、日本語による充実した技術サポートを提供します。

  • ソフトウェアの操作方法だけでなく、お客様の解析対象 (成長法、結晶、デバイス、解析事項) に応じた解析方法を的確にお伝えします。
  • ソフトウェア内蔵の英文マニュアルだけでなく、日本語マニュアルや補足資料を別途提供します。
  • 不特定多数向けではなく、個別のお客様毎にソフトウェア操作講習会を実施します。
引用元：JCG (2008) 310(6) 1112-1117.

ADVANTAGE04

解析結果と
実験結果の高い整合性

当社のシミュレーションソフトウェアは、様々な結晶成長法、結晶種、デバイス、結晶成長条件、デバイス駆動条件における実験結果との比較がなされ、解析結果と実験結果は高い整合性を示しています。

代表的な比較事例：
  • 結晶成長装置内の測定点における温度
  • 結晶成長速度や長時間成長時の結晶界面形状
  • 結晶成長中の基板曲率変化
  • LED素子の温度分布
  • LED素子からの発光分布

この解析結果と実験結果との比較事例は、学会や論文などで多数発表されております。当グループの発表は発表事例をご参照ください。

ADVANTAGE05

多くの導入実績

当社のシミュレーションソフトウェアは、様々な結晶成長やデバイスの研究開発に携わるグローバル企業、公的研究機関や大学で使用されています。

  • 半導体および太陽電池グレードの多結晶シリコンメーカー
  • 単結晶および多結晶シリコン、化合物半導体、
    光学結晶の基板メーカー
  • バルク結晶育成装置やエピリアクターメーカー
  • LED、レーザー、太陽電池メーカー
  • 公的研究機関や大学

また、これらの団体から当社ソフトウェアの解析結果を含む学会発表、論文などが多数発表されております。