発表事例
STR グループが学会や論文などで発表した事例 (共著含む)
成長法
結晶
デバイス
関連製品
発表年
発表方法
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| 題名 | 発表者 (所属) |
発表先 | 成長法 | 結晶 | デバイス | 関連製品 | 発表年 | 発表方法 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Improved Uniformity of Diamond Growth Through the Modeling of MPCVD on the Large Area Substrates | Ivan Petras (STR Belgrade) |
Hasselt Diamond Workshop 2025 | MPCVD | Diamond | - | DiaDeMo | 2025 | 学会発表 |
| Experimental and Numerical Analysis of Growth of Heteroepitaxial Diamond Using the MPCVD Method | Yuji Mukaiyama (STR Japan) |
18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2025) | MPCVD | Diamond | - | DiaDeMo | 2025 | 学会発表 |
| 結晶成長プロセスにおける熱・物質輸送の数値解析 | 向山 裕次 (STR Japan) |
応用物理学会結晶工学分科会第29回結晶工学セミナー | - | - | - | - | 2025 | 学会発表 |
| Effect of gas phase nucleation on diamond growth by plasma activated CVD | Anton Kobelev (STR Belgrade) |
34th International Conference on Diamond and Carbon Materials | MPCVD | Diamond | - | DiaDeMo | 2024 | 学会発表 |
| 3D modeling of EFG β- Ga2O3 crystal growth | Andrey Smirnov (STR Belgrade) |
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2024) | EFG | β-Ga2O3 | - | - | 2024 | 学会発表 |
| Modeling and validation of carbon incorporation in GaN epitaxial growth by MOVPE method | Yuji Mukaiyama (STR Japan) |
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) | MOCVD | GaN | - | Virtual Reactor | 2023 | 学会発表 |
| MOVPE法によるGaNエピタキシャル成長における炭素混入に関する数値解析とその評価 | 向山 裕次 (STR Japan) |
第36回計算力学講演会 | MOCVD | GaN | - | Virtual Reactor | 2023 | 学会発表 |
| Investigation of the turbulent silicon melt flow in a model geometry under a horizontal magnetic field | Andrey Smirnov (STR Belgrade) |
The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20) | Cz | Si | - | CGSim | 2023 | 学会発表 |
| Detailed model of diamond crystal growth by MPCVD | Andrey Smirnov (STR Belgrade) |
The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20) | MPCVD | Diamond | - | DiaDeMo | 2023 | 学会発表 |
| Evaluation of Numerical Modeling on Constitutional Supercooling during Heavily Boron Doped Silicon Single Crystal Growth using Cz Method | Yuji Mukaiyama (STR Japan) |
The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20) | Cz | Si | - | CGSim | 2023 | 学会発表 |
| Numerical Modeling on spiral formation of Cz-β-Ga2O3 crystal growth considering solidification kinetic effect | Masaya Iizuka (STR Japan) |
The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20) | Cz | β-Ga2O3 | - | CGSim | 2023 | 学会発表 |
| Modeling of Silicon Epitaxy on 300 mm Wafers and Analysis of Thickness Uniformity at Different Scales | Andrey Smirnov (STR Belgrade) |
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures / International SiGe Technology and Device Meeting | CVD | Si | - | CVDSim3D | 2023 | 学会発表 |
| Numerical Modeling and Evaluation of Constitutional Supercooling during Silicon Single Crystal Growth by Cz Method | Yuji Mukaiyama (STR Japan) |
第8回シリコン材料の先端科学と技術国際シンポジウム | Cz | Si | - | CGSim | 2022 | 学会発表 |
| Numerical study of spiral formation of crystal during β-Ga2O3 crystal growth using Czochralski method |
Masaya Iizuka (STR Japan) |
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) | Cz | β-Ga2O3 | - | CGSim | 2022 | 学会発表 |
| 数値解析によるCz法ヘビードープシリコン単結晶成長時の成長界面における点欠陥生成挙動に関する研究 | 向山 裕次 (STR Japan) |
第83回応用物理学会秋季学術講演会 | Cz | Si | - | CGSim | 2022 | 学会発表 |
| Advanced Modeling of Melt Turbulence, Impurities and Bubble Transport in Cz Silicon Crystal Growth | Vladimir Artemyev (STR Belgrade) |
8th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-8) | Cz | Si | - | CGSim | 2022 | 学会発表 |
| Cz法シリコン単結晶成長時の組成的過冷却に関する数値解析とその評価 | 向山 裕次 (STR Japan) |
第69回応用物理学会春季学術講演会 | Cz | Si | - | CGSim | 2022 | 学会発表 |
一致する項目はありません。