STREEM

エピタキシャル成長中の応力・歪み解析

Modeling of strain and stress during epitaxial growth process

リリースノート

STREEM 製品紹介ページを公開しました。

製品概要

STREEMは、エピ成長条件、成長レシピが光・電子デバイス (LED, HEMT) のヘテロ構造特性に対する影響を解析する事が出来るシミュレーションソフトウェアです。
また、デバイスシミュレーションソフトウェア (SiLENSe) と連携させる事により、最終的に成長レシピがデバイス特性に与える影響を解析する事が出来ます。
STREEMは、以下二つのエディションが存在します。

■ InGaN edition

青色/緑色LED向けのInGaN/GaNヘテロ構造における、ヘテロ構造内の表面偏析を考慮したインジウム組成分布、格子不整合に起因する歪・応力、V字転位形成による応力緩和をシミュレーションにより予測する事が出来ます。

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図1.InGaN/GaN量子井戸内のインジウム組成分布
図2.格子緩和した場合の量子井戸内インジウム組成分布

■ AlGaN edition

深紫外LED、 HEMT向けのAlGaN/GaNヘテロ構造における、ヘテロ構造内の温度や格子不整合による歪・応力、ヘテロ構造の反り・曲率、貫通転位の発生・傾きによる応力緩和、クラックをシミュレーションにより予測する事が出来ます。

AlGaN edition製品紹介ページへ

図3. GaN-AlN-on Si ヘテロ構造
図4. ヘテロ構造内の応力分布

各エディションの製品特徴

各エディションの詳しい内容は、以下サイトでご確認いただけます。

動作環境

GUI (計算条件設定、計算結果出力) :Windows OS
8GB RAM, Windows 10, 11 Professional 以上