STREEM

STREEMは、MOCVD法によるIII族窒化物エピタキシャル成長中において、ヘテロ構造内で発生するさまざまな物理現象を数理モデルに基づいて総合的に解析できるシミュレーションソフトウェアです。
ヘテロ構造の特性およびデバイス性能に直結する成長条件の最適化や構造設計の検討において有効です。
また、STREEMは成膜材料や解析の目的に応じて、以下二つのエディションが用意されています。

■ InGaN edition

青色／緑色LED向けInGaN/GaN量子井戸を含むヘテロ構造において、ヘテロ構造内で生じる表面偏析を考慮したインジウム組成分布や、格子不整合に起因する歪み・応力、V字転位形成による応力緩和などをシミュレーションにより予測することができます。

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■ AlGaN edition

深紫外LEDやHEMT向けのAlGaN/GaNヘテロ構造において、ヘテロ構造内の温度分布や格子不整合に起因する歪み・応力、構造の反り・曲率、貫通転位の発生や傾きによる応力緩和、さらにはクラックの発生までを、シミュレーションにより予測することができます。

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