結晶成長解析ソフトウェア
結晶成長中の熱流体・化学反応・電磁場・プラズマなどの
複数の物理現象を連成したシミュレーション
PolySim
シーメンス法による多結晶シリコン結晶成長解析
得られる結果
成長速度、生産量、エネルギー消費量、シリコンの変換率、ポップコーン現象、電流値、トータル電圧、パワー、輻射、対流、ガスによる熱ロス、ガスの流速・温度、ガスのCl/Si比など
CGSim
融液と溶液からの結晶成長解析
- 成長法：
- Cz, MCz, LEC, VCz, Kyropoulos (Ky), VB, VGF, DS, THM, Fz, Hydrothermal, Amonothermal, Fluxなど
- 結晶：
- Si, GaAs, InP, GaP, Sapphire, CaF2, Ge, SiGe, Ga2O3, YAG, GGG, LT, LN, CdTe, GaN, SiC など
得られる結果
温度、流れ、化学種の分布、成長速度、固液界面形状、不純物取込、偏析、熱応力、
転位、点欠陥など
Virtual Reactor
気相からの結晶成長2次元解析
- 成長法：
- CVD, PVT, HTCVD, MOCVD (MOVPE), MOHVPE, HVPE, THVPEなど
- 結晶：
- Si, SiGe, SiC, GaN, AlN, AlGaN, InN, InGaN, AlInN, GaAlInN, Ga2O3, InAs, GaAs, AlAs, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, InGaAlAs, InP, GaP, AlP, InGaP, InAlP, AlGaP, InGaAlP, InAsP, GaAsP, AlAsP, InGaAsP, InAlAsP, AlGaAsP など
得られる結果
温度、流れ、化学種の分布、成長速度、長時間成長時の結晶形状変化、不純物取込、
気相中での粒子、寄生成長、熱応力、転位密度など
得られる結果
温度、流れ、化学種の分布、成長速度、不純物取込、気相中での粒子、寄生成長など
STREEM
エピタキシャル成長中の応力・歪み解析
得られる結果
結晶成長中の量子井戸やバリア層でのインジウム・応力・歪み・転位密度・基板の反り変化、クラックなど
DiaDeMo
MPCVD 法によるダイヤモンド結晶成長解析
得られる結果
温度、流れ、化学種、電場、プラズマの分布、成長速度、不純物取込、煤付着など