特徴|結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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特徴
対象分野
STR グループは、様々な結晶成長やデバイスを研究対象とし、
それらの研究開発用途のシミュレーションを提供しております。
また、様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションを総合的に提供する
世界唯一の企業体として活動しております。

●バルク結晶成長
融液成長(チョクラルスキー、ブリッジマン法、アモノサーマル法、DS 法, Kyropoulos 法, EFG 法, HEM 法など)、気相成長(昇華法、HTCVD 法、HVPE 法)
 
●エピタキシャル成長(薄膜成長)
シーメンス法、溶液成長(フラックス法など)、気相成長(MOCVD 法、HVPE 法、CVD 法)

●デバイス
光学デバイス(LED やレーザーなど)、電子デバイス(HEMT など)、太陽電池

●結晶種
シリコン、SiC、窒化物(GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlInN, p-GaN など)、V-X族(Ge, GaAs, InP, AlGaAs, InGaAs, AlInGaP など)、酸化物(サファイア, CaF2, YAG, GGG など)、ダイヤモンド、CdTe など

●応用分野
電気・医療・自動車・航空宇宙・環境・エネルギー・農業・情報通信など

■研究開発

製品紹介

STR グループ全体で40名以上の科学者が所属し、研究開発部門では様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションモデルを開発し続けております。
開発したシミュレーションモデルは、共同研究先で実施される実験などにより、様々な条件での評価がなされ、実現象を再現できることが実証されております。
実証例の一部は、学会論文で発表されております。

サービス
•15年以上の多結晶シリコン結晶成長の研究開発
•10年以上の融液および溶液からの結晶成長解析とその最適化
•20年以上の気相からの結晶成長解析
サービス
長年の結晶成長やデバイスの研究と解析経験に基づいたシミュレーションを、
お客様のご要望に沿った形で、ソフトウェア・コンサルティング・受託解析にて、
提供いたします。

■ソフトウェアと技術サポート

製品紹介

結晶成長やデバイスの技術担当者が使いやすいソフトウェアと的確な技術サポートを提供いたします。

長年の研究に基づき開発されたソフトウェアは、シミュレーションの専門家ではない結晶成長やデバイスの技術者が使いやすいように設計されており、整備することが難しい成長プロセスに応じた化学反応モデルや物性値が整備・内蔵されております。

サービス

また、ソフトウェアは、プリプロセッサ(計算格子生成)・データベース(化学反応モデルや物性値)・ソルバー(計算)・ポストプロセッサ(可視化)の一体型、かつ、大規模計算環境が無くても使用可能な、導入と運用コストを抑えた構成となっております。

ソフトウェア操作講習会を含む技術サポートは、STR グループの各拠点から多言語で提供することができ、技術サポート担当だけではなくソフトウェアの開発者と直接技術議論する場も提供いたします。

■コンサルティング

製品紹介

お客様の抱えている課題を、お客様自身がソフトウェアを活用して解決するのではなく、
STR グループの知見と経験を活かしたシミュレーションから、STR グループが短い期間で解決いたします。

●実績
・ホットゾーンの設計
・成長レシピの構築
・リアクターや結晶口径のスケールアップ
・化学反応モデルの開発
・ソフトウェアの改造や新規開発 など

実績の一部は、本社ホームページで紹介されております。
http://www.str-soft.com/consulting/

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