新着情報
2016/2/5
CGSim ver15.3がリリースされました
2016/2/20
日時:2016年2月26日(金)13:00-18:00
場所:学習院大学 中央棟301教室
内容:口頭発表
題名:シーメンスプロセスでの多結晶シリコン結晶成長解析
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jsap.or.jp/announce/seminar/detail/20160201.html
2015/12/25
弊社冬季休暇のご連絡
12/28（月）〜 1/1（金）は、弊社冬季休暇となりますので、予めご了承下さい。
2015/9/3
採用情報を更新しました。 ご応募、お待ちしております。
イベント情報を追加しました。
●日本機械学会 第28回計算力学講演会(CMD2015)
日時：2015年 10月10日(土)〜12日(月)
場所：横浜国立大学
内容：口頭発表
題名： MOCVD 法での III 族窒化物エピタキシャル成長解析
発表者：塚田 佳紀
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jsme.or.jp/conference/cmdconf15/index.html
●第45回結晶成長国内会議(NCCG-45)
日時：2015年10月19日(月)〜21日(水)
場所：北海道大学 学術交流会館
内容：企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/frame_main/18/nccg-45/index2015.html
●ISGN-6
日時：2015年11月 8日(日)〜13日(金)
場所：浜松アクトシティ
内容：企業展示、ポスター発表
題名：
・Kinetics of AlGaN MOVPE for deep UV applications
・Stress-dislocation management in MOCVD of GaN on SiC wafers
発表者：E. Yakovlev (STR Group–Soft-Impact Ltd.,)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://isgn6.jp/
●先進パワー半導体分科会 第2回講演会
日時：2015年11月 9日(月)〜10日(火)
場所：大阪国際交流センター
内容：企業展示、インダストリアルセッションでの発表
題名：
発表者：
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://annex.jsap.or.jp/adps/scrm/index.html
発表事例を追加しました。
2015/8/27
Virtual Reactor ver7.4がリリースされました。
2015/07/23
弊社夏季休暇のご連絡
8/10（月）〜 8/14（金）は、弊社夏季休暇となりますので、予めご了承下さい。
2015/7/10
CGSim ver15.2がリリースされました。
2015/7/2
SiLENSe ver5.8がリリースされました。
2015/6/11
発表事例を追加しました。
●融液からの結晶成長解析
題名 Advanced chemical model for analysis of Cz and DS Si-crystal growth
発表者 A.N. Vorob’ev, et al
発表先 Journal of Crystal Growth 386 (2014) 226–234
結晶名 Silicon
題名 Optimization of heating conditions during Cz BGO crystal growth
発表者 A.V. Kolesnikov, et al
発表先 Journal of Crystal Growth 407 (2014) 42-47
結晶名 BGO
題名 Crystal twisting in Cz Si growth
発表者 V. Kalaev, et al
発表先 Journal of Crystal Growth 413 (2015) 12-16
結晶名 Silicon
題名 3D melt convection in sapphire crystal growth: Evaluation of physical properties
発表者 V.V. Timofeev, et al
発表先 International Journal of Heat and Mass Transfer 87 (2015) 42-48
結晶名 Sapphire
●MOCVD 法による窒化物結晶成長
題名 Mechanism of stress relaxation in (0001) InGaN/GaN via formation ofV-shaped dislocation half-loops.
発表者 A.V. Lobanova, et al
発表先 Appl. Phys. Lett., 103 (2013) 152106.
題名 On Mechanisms Governing AlN and AlGaN Growth Rate and Composition in Large Substrate Size Planetary MOVPE Reactors.
発表者 M. Dauelsberg, et al
発表先 Journal of Crystal Growth, 393 (2014) 103-107.
題名 Transport Phenomena in Vapor Phase Epitaxy Reactors.
発表者 R. Talalaev, et al, In: Nishinaga T, Kuech TF, editors.
発表先 Handbook of Crystal Growth, Vol. III. Elsevier; 2015. pp.909–42.
●CVD 法による Si, SiGe 結晶成長
題名 Antimony surfactant for epitaxial growth of SiGe buffer layers at high deposition temperatures,
発表者 P. Storck, et al
発表先 Thin Solid Films 518 (2010) S23–S29
●光学デバイス ( LED, Laser )
題名 Theoretical and Experimental Study of Thermal Management in High-Power AlInGaN LEDs
発表者 A. E. Chernyakov, et al
発表先 Proc. 15th Int. Conf. on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems(2014) 1-5 / DOI: 10.1109/EuroSimE.2014.6813819
題名 Temperature-Dependent Internal Quantum Efficiency of Blue High-Brightness Light-Emitting Diodes
発表者 I. E. Titkov, et al
発表先 IEEE J. Quantum Electron. 50 (2014) 911-920.
題名 ABC-model for interpretation of internal quantum efficiency and its droop in III-nitride LEDs a review
発表者 S. Yu. Karpov, et al
発表先 Opt. Quantum Electron. (2014) / DOI: 10.1007/s11082-014-0042-9
題名 Strategies for creating efficient, beautiful whites
発表者 S. Yu. Karpov, et al
発表先 Compound Semiconductors, 21 (2015) 44-47.
題名 Optimal ways of colour mixing for high-quality white-light LED sources
発表者 K. A. Bulashevich, et al
発表先 Phys. Stat. Solidi (a), 212 (2015) 914-919.
●太陽電池
題名 Assessment of factors limiting conversion efficiency of single-junction III-nitride solar cells
発表者 K. A. Bulashevich, et al
発表先 Phys. Stat. Solidi (c) 11, (2014) 640-643.
