新着情報
2015/5/12
採用情報を掲載しました。
ご応募、お待ちしております。
発表事例を追加しました。
●融液および溶液からの結晶成長
題名 Na-Flux 法における窒化ガリウム単結晶成長のための数値解析
発表者 飯塚 将也（STR Japan 株式会社）
発表先 第7回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
結晶名 GaN
●CVD 法による SiC 結晶成長
題名 Study of Al Incorporation in Chemical Vapor Deposition
of p-Doped SiC
発表者 A.S. Segal, et al
発表先 Materials Science Forum Vols 821-823 (2015) pp 145-148
●光学デバイス ( LED, Laser )
題名 Spectral dependence of light extraction efficiency of high-power III-nitride light-emitting diodes
発表者 S. Yu. Karpov, et al
発表先 Phys. Status Solidi RRL (2015) / DOI 10.1002/pssr.201510073
イベント情報を追加しました。
●「次世代パワー半導体デバイスの進展」
日時 2015年7月9 日（木） 13:00〜17:35
場所 産総研つくば西事業所 TIA 連携棟 TIA-nano ホール
内容 企業広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai03.pdf
2015/2/14
イベントページを更新しました。
当社主催セミナーを開催いたします。
●結晶成長とデバイス解析セミナー2015(STR Japan株式会社主催)
日時:2015年 6月 26日(金)12:00 〜セミナー後に懇親会(予定)
場所:横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 中会議室(横浜市保土ヶ谷区)
昨年のセミナーの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
セミナーのお知らせ
2015/2/14
イベントページを更新しました。
今後以下の学会に参加・展示いたします。
●応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第179回 研究集会
日時:2015年2月27日(金)13:30-18:00
場所:学習院大学 南1号館101教室
内容:口頭発表
題名:チョクラルスキー法によるシリコン単結晶成長への数値シミュレーションの適用-三次元横磁場解析や引き上げのダイナミクス解析による点欠陥制御-
発表者:飯塚 将也(STR Japan 株式会社)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://annex.jsap.or.jp/silicon/shousai/dai179.htm
●第7回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
日時:2015年 5月 7日(木)13:00 〜 8日(金)16:20(予定)
場所:片平さくらホール(東北大学片平キャンパス)
内容:企業展示、ポスター発表
題名：Na-Flux法における窒化ガリウム単結晶成長のための数値解析
発表者：飯塚将也
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/nanoepi/nanoepi_7/index.html
●ISGN-6
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
日時:2015年 11月 8日（日）〜13日（金）
場所:浜松アクトシティ
内容:企業展示 イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://isgn6.jp/
2015/2/13
CGSim v15.1がリリースされました。
2015/2/4
SpeCLED2008 ver4.14がリリースされました。
2014/12/22
12/29（月）〜 1/2（金）は、弊社冬季休暇となりますので、予めご了承下さい。
2014/11/26
Virtual Reactor ver7.3がリリースされました。
2014/9/22
イベントページを更新しました。
今後以下の学会に参加・展示いたします。
第４４回結晶成長国内会議 2014年11月6日（木）〜8日（土）
先進パワー半導体分科会 第１回講演会 2014年11月19日(水)〜20日(木)
2014/7/24
8/11（月）〜 8/15（金）は、弊社夏季休暇となりますので、予めご了承下さい。
