新着情報
2016/10/20
お蔭をもちまして「エピタキシャル成長中の "歪み・基板の反り" セミナー」は無事終了いたしました。
ご来場のみなさま、ご協力いただいたみなさまに深く感謝申し上げます。
2016/9/12
!名古屋会場変更のお知らせ!
名古屋会場が変更になりました。
お手数をおかけして申し訳ありません。詳細は上記リンクをご参照ください。
●エピタキシャル成長中の "歪み・基板の反り" セミナー
日時:2016年 10月 18日(火) 【名古屋】 13:30 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:名古屋国際センター3階 第2研修室(名古屋市中村区)
※名古屋会場は定員に達しましたので、お申し込みを締め切ります。
日時:2016年 10月 19日(水) 【横浜】 13:30 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 大会議室(横浜市保土ヶ谷区)
詳細は、以下リンク先をご参照ください。
合同セミナーのお知らせ
2016/8/24
●第77回応用物理学会秋季学術講演会
日時:2016年 9月 13日(火) 〜 16日(金)
場所:朱鷺メッセ
内容:ポスター発表
題名:数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://meeting.jsap.or.jp/
2016/7/27
●ICCGE-18
日時:2016年 8月 7日(日) 〜 12日(金)
場所:名古屋国際会議場
内容:企業展示、口頭発表、ポスター発表
題名:Numerical study of microdefect formation during Cz growth of monocrystalline silicon
発表者:Vasif M. Mamedov(STR)
題名:Modeling of Dislocation Dynamics in germanium Czochralski growth
発表者:Vladimir V. Artemyev(STR)
題名:Strain engineering for electronic devices: modeling capabilities
発表者:Sergey Yu Karpov(STR)
題名:Advanced Modeling of MOVPE Processes
発表者:Eugene Yakovlev(STR)
題名:Melt Flow before Crystal Seeding in Cz Si Growth with Transversal MF
発表者:飯塚 将也 (STR Japan 株式会社)
題名:Using of simplified geometry of Cz Si crystal growth process with transverse magnetic field for analysis of numerical parameters
発表者:Vladimir Kalaev(STR)
題名:Modeling Solutions for Growth of Silicon Carbide
発表者:向山 裕次 (STR Japan 株式会社)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.iccge18.jp/index.html
2016/6/14
●CSW2016 (The 2016 Compound Semiconductor Week)
日時:2016年 6月26日(日) 〜 30日(木)
場所: 富山国際会議場
内容: 企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://csw-jpn.org/
2016/5/6
●第8回 窒化物半導体結晶成長講演会
日時:2016年 5月 9日(月)13:00 〜 10日(火)16:45(予定)
場所:京都大学桂キャンパス ローム記念館
内容:企業展示、ポスター発表
題名:数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/nanoepi/nanoepi_8/index.html
2016/5/24
CGSim ver15.3.1がリリースされました。
2016/3/3
SiLENSe ver5.10がリリースされました。
2016/2/5
CGSim ver15.3がリリースされました