新着情報
2016/12/21
SpeCLED ver4.15がリリースされました。
2016/12/13
Virtual Reactor ver7.5がリリースされました。
2016/12/1
弊社冬季休暇のご連絡
12/30（金）〜 1/5（木）は、弊社冬季休暇となりますので、予めご了承下さい。
2016/11/30
CGSim ver16.1がリリースされました。
2016/10/20
●先進パワー半導体分科会 第３回講演会
日時：2016年11月 8日(火) 〜 9日(水)
場所 : つくば国際会議場
内容 : 企業展示、インダストリアルセッション
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://annex.jsap.or.jp/adps/scrm/index.html
2016/10/20
お蔭をもちまして「エピタキシャル成長中の "歪み・基板の反り" セミナー」は無事終了いたしました。
ご来場のみなさま、ご協力いただいたみなさまに深く感謝申し上げます。
2016/9/12
！名古屋会場変更のお知らせ！
名古屋会場が変更になりました。
お手数をおかけして申し訳ありません。詳細は上記リンクをご参照ください。
●エピタキシャル成長中の "歪み・基板の反り" セミナー
日時：2016年 10月 18日(火) 【名古屋】 13:30 〜 17:45 （18:00 〜 懇親会）
場所：名古屋国際センター3階 第2研修室（名古屋市中村区）
※名古屋会場は定員に達しましたので、お申し込みを締め切ります。
日時：2016年 10月 19日(水) 【横浜】 13:30 〜 17:45 （18:00 〜 懇親会）
場所：横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 大会議室（横浜市保土ヶ谷区）
詳細は、以下リンク先をご参照ください。
合同セミナーのお知らせ
2016/8/24
●第77回応用物理学会秋季学術講演会
日時:2016年 9月 13日(火) 〜 16日(金)
場所:朱鷺メッセ
内容:ポスター発表
題名：数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://meeting.jsap.or.jp/
2016/7/27
●ICCGE-18
日時：2016年 8月 7日(日) 〜 12日(金)
場所：名古屋国際会議場
内容：企業展示、口頭発表、ポスター発表
題名：Numerical study of microdefect formation during Cz growth of monocrystalline silicon
発表者：Vasif M. Mamedov（STR）
題名：Modeling of Dislocation Dynamics in germanium Czochralski growth
発表者：Vladimir V. Artemyev（STR）
題名：Strain engineering for electronic devices: modeling capabilities
発表者：Sergey Yu Karpov（STR）
題名：Advanced Modeling of MOVPE Processes
発表者：Eugene Yakovlev（STR）
題名：Melt Flow before Crystal Seeding in Cz Si Growth with Transversal MF
発表者：飯塚 将也 （STR Japan 株式会社）
題名：Using of simplified geometry of Cz Si crystal growth process with transverse magnetic field for analysis of numerical parameters
発表者：Vladimir Kalaev（STR）
題名：Modeling Solutions for Growth of Silicon Carbide
発表者：向山 裕次 （STR Japan 株式会社）
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.iccge18.jp/index.html
2016/6/14
●CSW2016 (The 2016 Compound Semiconductor Week)
日時:2016年 6月26日(日) 〜 30日(木)
場所: 富山国際会議場
内容: 企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://csw-jpn.org/
