Virtual Reactor

気相からの結晶成長2次元解析

2D modeling of crystal growth from the vapor

リリースノート

2026.06.29 Virtual-Reactor Nitride edition version 2026.1がリリースされました。 (Nitride)

主な新機能・改善点

GaN成長モデルにおける点欠陥（窒素空孔）モデルが追加されました
プラネタリー型リアクター全体の熱流動解析におけるPreset機能が追加されました
GaN成長モデルにおけるCl2ガスによるクリーニングモデルが追加されました
並列計算オプションが追加されました
ログに出力されるMass Balance Reportの出力内容が充実化しました

2026.02.06 Virtual-Reactor PVT-SiC edition v2025.2.2がリリースされました。
(PVT-SiC)
2022.12.18 Virtual Reactor ver8.3.0がリリースされました。
(PVT-SiC, CVD-SiC, PVT-AlN, HVPE, Nitride)
2021.06.15 Virtual Reactor ver8.1がリリースされました。
(PVT-SiC, CVD-SiC, PVT-AlN, HVPE)
2019.10.28 Virtual Reactor ver8.0がリリースされました。
(PVT-SiC, CVD-SiC, HVPE, Nitride)
2018.06.26 Virtual Reactor ver7.8がリリースされました。
(PVT-SiC, CVD-SiC, HVPE)
2017.07.18 Virtual Reactor CVD_SiC edition ver7.6がリリースされました。
(CVD-SiC)
2017.06.09
CVD II-VI Editionのページをアップしました。
2017.06.05 Virtual Reactor ver7.6がリリースされました。
(PVT-SiC, PVT-AlN, HVPE, Nitride, III-V)
2016.12.13 Virtual Reactor ver7.5がリリースされました。
(PVT-SiC, CVD-SiC, PVT-AlN, HVPE, Nitride, III-V, II-VI, CVI_SiC)
2015.08.27 Virtual Reactor ver7.4がリリースされました。
(PVT-SiC, CVD-SiC, HVPE, Nitride)
2015.03.06 Virtual Reactor ver7.3.2がリリースされました。
(PVT-SiC, CVD-SiC, HVPE, Nitride)
2014.11.26 Virtual Reactor ver7.3がリリースされました。
(PVT-SiC, CVD-SiC, HVPE)
2014.07.07
Nitride Edition, 及びIII-V Editionのページをアップしました。
2014.05.28
HVPE EditionにInN, 及びInGaNに関する記述を追加しました。
2013.04.01
Virtual Reactor 製品紹介ページを公開しました。

製品概要

Virtual Reactorは、気相からの薄膜・バルク結晶成長の開発や最適化のために開発されたシミュレーションソフトウェアです。
成長法と結晶種に応じた化学反応モデルを実装し、各エディションとして提供しています。

■ PVT-SiC Edition ：昇華法によるSiC単結晶気相成長専用エディション
■ PVT-AlN Edition ：昇華法によるAlN単結晶気相成長専用エディション
■ Nitride Edition ： MOCVD法によるlll族窒化物半導体エピタキシャル成長エディション
■ lll-V Edition ： MOCVD法によるlll-V族半導体エピタキシャル成長専用エディション
■ CVD-SiC Edition ： CVD法によるSiC気相成長専用エディション
■ HVPE Edition ： HVPE法によるlll族窒化物とlll-V族結晶気相成長エディション

いずれのエディションも2次元モデル (2次元軸対称モデル、XY平面モデル) で計算することが可能です。

Virtual Reactorは、実験のみで把握することが難しいリアクター内の現象 (温度分布、ガス対流分布、化学種濃度分布、結晶形状の変化、結晶内熱応力など) を再現し、可視化することができるため、実験と並行した最適化ツールとして活用することができます。

Virtual Reactor各エディションの製品紹介ページ

各エディションの詳細については、下記のボタンより専用の製品紹介ページで確認できます。

PVT (Physical Vapor Transport) SiC Edition

昇華法によるSiC単結晶気相成長専用エディション

成長法 :: 昇華法 (PVT法)
結晶種 :: SiC

PVT (Physical Vapor Transport) AlN Edition

昇華法によるAlN単結晶気相成長専用エディション

成長法 :: 昇華法 (PVT法)
結晶種 :: AlN

MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)
Nitride Edition

MOCVD法(有機金属気相成長法)によるlll族窒化物半導体エピタキシャル成長エディション

成長法 :: MOCVD法、MOHVPE法
結晶種 :: lll族窒化物
(GaN、AlN、AlGaN、InGaN、AlInN、InGaAlN)

MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)
III-V Edition

MOCVD法(有機金属気相成長法)によるlll-V族半導体エピタキシャル成長専用エディション

成長法 :: MOCVD法
結晶種 :: ヒ素系
(InAs、GaAs、AlAs、InGaAs、InAlAs、AlGaAs、InGaAlAs)
リン系
(InP、GaP、AlP、InGaP、InAlP、AlGaP、InGaAlP)
ヒ素-リン系
(InAsP、GaAsP、AlAsP、InGaAsP、InAlAsP、AlGaAsP)

CVD (Chemical Vapor Deposition) SiC Edition

CVD法(化学気相成長法)によるSiC気相成長専用エディション

成長法 :: CVD法、HTCVD法
結晶種 :: SiC

HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) Edition

ハライド気相成長法によるIII族窒化物、III-V族結晶気相成長エディション

成長法 :: HVPE法、HF-VPE法、OVPE法、MOCVD法(酸化ガリウムのみ)
結晶種 :: III族窒化物
(GaN、AlN、AlGaN、InGaN)
III-V族 (ヒ素系)
(InAs、GaAs、AlAs、InGaAs、InAlAs、AlGaAs)
III-V族 (リン系)
(InP、GaP、AlP、InGaP、InAlP、AlGaP)
酸化ガリウム (Ga2O3)

①ユーザーインターフェース

Virtual Reactorは、シミュレーションの経験がない方でも直感的に操作できるグラフィカルユーザインターフェース (GUI) を備えています。
1つのGUIで、リアクター形状、計算メッシュの作成、材料物性の設定、計算条件の設定、計算の実行の一連の作業を行うことができます。
形状に関しては、AutoCADデータ (DXFファイル) をインポートすることも可能です。
計算メッシュに関しては、自動作成機能の利用と手動による修正が可能です。
また、基本パッケージ内で提供される可視化専用ソフトウェアView2Dを用いて、計算結果の可視化 (2次元物理量分布、境界上1次元分布など) を行うことが可能です。

②材料物性データベース

シミュレーションに必要な結晶や装置部材の材料物性に関しては内蔵のデータベースの値を利用することが可能です。

動作環境

計算条件設定GUI、各モジュールソルバー、View2DはWindowsOSに限定されます。
(動作保証OS：Windows10、Windows11)

推奨ハードウェア構成

CPU :: Intel Core i3 processor 以上
RAM :: 8GB RAM 以上
Display :: 1920×1080 以上
Video card :: Open GL3.1 以上

※推奨ハードウェア構成は、計算モデルの規模により異なります。
　解析対象に即したハードウェア構成を提案しますので、お気軽にお問合せ下さい。